突破AI晶片散热与封装瓶颈 创浦攻晶片内建冷却与玻璃基板镀膜技术

半导体产业的竞争焦点正全面延伸至先进封装与晶片层级的散热架构。创浦（TRUMPF）於 SEMICON Taiwan 2026 期间，展示针对 AI 晶片堆叠的「整合式晶片内部冷却技术」，并同步发表用於玻璃基板（Glass Substrate）微米级通孔镀膜的 HiPIMS 电浆电源方案，以超短脉冲雷射与先进电浆技术助攻次世代 AI 晶片量产。

图一 : 创浦餐与SEMICON Taiwan 2026

在 3D 晶片堆叠与高密度互连架构下，热源高度集中於封装内部，传统伺服器机柜冷却或外贴散热片已难以即时导出高温。为此，微流体冷却（Microfluidic Cooling）与内建均热层成为半导体大厂技术蓝图的重要方向，直接在热源附近进行散热。

为克服碳化矽（SiC）及钻石等高导热材料硬度极高、传统蚀刻难以加工微小结构的瓶颈，创浦推出超短脉冲雷射解决方案。高速微细加工可在碳化矽等材料上精准加工微米级冷却结构，加工速度达传统蚀刻的五倍以上。晶片堆叠整合则是将微流体通道等冷却结构直接整合至晶片堆叠内部，大幅提升导热效率，为次世代高功耗 AI 处理器排除热障碍。
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