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工研院与台达开发SiC模组 抢攻高功率电子市场
 

【作者: 陳念舜】2025年02月08日 星期六

浏览人次:【3241】

基於现今电动车为了符合低碳永续趋势及续航力,兼顾在高压、高温下稳定运行,使得具备高功率密度的宽能隙化合物半导体(Wide-bandgap Semiconductor;WBG),成为该领域深受关注的元件材料。工研院也在近期海外叁展时,发表最新与台达合作车用碳化矽(SiC)技术解决方案。


图一 : 工研院携手台达共同展出「1200V/660A T2系列碳化矽功率模组」,有效降低变频器产品的体积与重量,延长电动车续航里程。
图一 : 工研院携手台达共同展出「1200V/660A T2系列碳化矽功率模组」,有效降低变频器产品的体积与重量,延长电动车续航里程。

其中透过「电动车驱动及充电方案」、「功率氮化??(GaN)」、「功率氧化??(Ga2O3)」以及「400kW大电力直流变压器」4大专区,展示工研院逾10项新一代宽能隙功率半导体前瞻技术成果,以及台湾车载半导体的元件设计到验证能力。


工研院电子与光电系统研究所所长张世杰表示,目前由工研院长期投入化合物功率半导体的发展,提供完整且高转换效率的「车载碳化矽技术解决方案」,已涵盖致力设计开发的碳化矽功率元件与模组化、马达驱动、车载充电与充电桩等电动车核心技术,吸引众多国内外车辆零件商、车厂制造商洽谈合作,为电动车与半导体产业成长注入更多动能。
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