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数字相机闪光灯充电电路分析
 

【作者: 陳保成、藍瑞立】2006年09月05日 星期二

浏览人次:【20095】

充电电路简介

目前多数使用氙气型式的闪光灯(Xenon Photoflash)。其触发方式是利用一个高压电容器储存足够的能量,然后将其能量释放至灯管,此能量会在灯管内激发氙气而产生光源。要触发闪光灯所需的能量是由一个高压电容(一般约200V~300V)储存所提供的。在手持式产品中(如:数字相机、手机),如何将电池能量有效且快速的储存至高压电容,这就取决于充电电路如何设计。最早期的充电电路是由许多组件组合而成的,如(图一),由于此种传统的充电电路因效率差、所需组件数太多而且太占空间而逐渐被淘汰。现今由于半导体的蓬勃发展,而将充电电路所需组件及控制器整合成芯片(IC),此种整合型芯片的充电电路架构如(图二)。此种架构的控制方式有定频、固定导通时间(constant on time)和限制电流峰值(peak current limit)控制方式。在此应用上,定频控制方式效率差,固定导通时间控制方式易受限于变压器一次侧电感值,而限制电流峰值控制方式具有高效率、安全的特点。此篇文章是针对限制电流峰值的控制模式加以深入探讨分析。



《图一 传统闪光灯充电电路》
《图一 传统闪光灯充电电路》
《图二 整合型芯片的闪光灯充电电路》
《图二 整合型芯片的闪光灯充电电路》

充电电路分析—以MAX8622为例

MAX8622支持两颗碱性电池或一颗锂电池的应用,并整合了MOSFET至IC内部,利用限制电流峰值(peak current limit)控制方式。具有高度整合且高效率的闪光灯充电驱动IC,其电路如(图三)。


此种充电电路架构相当于反驰式(Flyback)转换器,针对闪光灯充电应用,而采用限制电流峰值的控制方式。而MAX8622采用每个周期(cycle-by-cycle)限制电流峰值方式,此方式可抑制输入突波电流(inrush current)并快速且有效率的充饱输出电容。


其动作原理是利用变压器一次侧的电感储能,再将能量转换至二次侧的输出电容。当导通MOSFET时,输入电压会对电感充电而电感电流会上升,当电感电流上升至峰值点(利用Pin 1, ISET设定)后截止MOSFET,此时一次侧电感上的能量会转换至输出电容,当二次测电流降至几乎为零时再导通MOSFET,如此循环直至输出电容电压达到所设定的电压值时,此控制器才会停止动作。(图四)与(图五)为在不同周期时的一次侧与二次侧电流波形。在此种应用上,充电时间(charge time)是一个非常重要的规格,此文章就使用了两种方法做理论推导与分析。


《图三 MAX8622充电电路》
《图三 MAX8622充电电路》
《图四 一次侧与二次测电流波形(充电的前几个周期)》
《图四 一次侧与二次测电流波形(充电的前几个周期)》
《图五 一次侧与二次测电流波形(充电中的几个周期)》
《图五 一次侧与二次测电流波形(充电中的几个周期)》

输出电压与充电时间

方法一:

定义变压器匝数比为N,变压器一次侧电感为,二次侧电感为


当MOSFET导通时,定义为每个周期MOSFET的导通时间


由(公式一)可得知在为定值,则每个周期的也为一定值


当MOSFET截止时,此电路就为LC串行电路。


《公式一》
《公式一》
《公式二》
《公式二》

的初始值为且定义为每个周期的初始值,为输出电容


当=0时,MOSFET就会导通而切换至下一个周期,故可以推导出每个周期的截止时间(off-time)。


由(公式二)也可看出每个周期的是不固定的,会随着输出电容电压增加而越来越小。假设输出电容初始值为0(即=0)则第一个周期的off –time为(即, 的周期)


某个周期输出电容电压为(公式三)。整个充电时间为(公式四)。


《公式三》
《公式三》
其中c(n) 定义来自于以下公式,当中的A是波峰剪裁讯号的最大允许值。其想法是用函式b(n)来取代c(n),利用适合的窗口范围来限制波峰剪裁讯号的展频。
其中c(n) 定义来自于以下公式,当中的A是波峰剪裁讯号的最大允许值。其想法是用函式b(n)来取代c(n),利用适合的窗口范围来限制波峰剪裁讯号的展频。

方法二:

由上述分析可得知在每个周期是固定的,而是可变的。方法二是将方法一做了一些假设而简化,将二次侧谐振电流线性化,假设很小,所以,并且假设每个切换周期输出电压的变化很小,故公式二可简化得(公式五)


在时间内是对输出电容充电,所以可以将等效为输出电压对时间的微分。故可得(公式六)。


《公式五》
《公式五》
《公式六》
《公式六》

输入电流

由动作原理可得知在MOSFET导通时,输入电压会对变压器一次侧电感充电,在每次导通期间储存在一次侧电感的电荷为(公式七)。


所以输入电流可得知为(公式八)


《公式七》
《公式七》
《公式八》
《公式八》

LX电压

当MOSFET导通时,LX电压为零;当MOSFET截止时,LX电压为输入电压加上输出电压除以变压器匝数比,其公式如下:


《公式九》
《公式九》
《公式十》
《公式十》

充电电路仿真

依据所推导出的公式,可以利用数学仿真软件针对此充电电路仿真与分析,例如:不同的变压器匝数比、一次侧电感值、一次侧电流峰值对充电时间的影响等。


充电时间

假设变压器一次侧电感为5μH、匝数比为1:15,限制电流峰值为1.2A,输出电容为150μF,输出电压为300V,利用方法(一)与方法(二)仿真结果如(表一):


表一 利用两种方法仿真充电时间结果

输入电压( V )

方法一

(严谨的方式)

充电时间( s )

方法二

(简化的方式)

充电时间( s )

(简化的方式)

2.8V

5.14262

5.14286

0.0047

3.3V

4.53385

4.53409

0.0053

3.6V

4.24976

4.25000

0.0056

4.0V

3.93726

3.93750

0.0061

4.2V

3.80333

3.80357

0.0063


由仿真结果可看出这两种方法之间的差异非常的小。并由公式六可得知变压器一次测的电感值对于充电时间的影响不大,而变压器的匝数比越大所需的充电时间越长,匝数比越小所需的充电时间就越短。


输入电压与充电时间之关系

假设变压器一次侧电感为5μH、匝数比为1:15,限制电流峰值为1.6A,输出电压由30V到300V,不考虑损失情况下。利用公式六可仿真出输入电压与充电时间之曲线图,如(图六)。


《图六 输入电压与充电时间曲线图之仿真结果(无考虑损失)》
《图六 输入电压与充电时间曲线图之仿真结果(无考虑损失)》

上述推导都是以理想状况,没有考虑损失,若将损失考虑进去,所得之仿真结果与实际量测结果比较,如(图七)所示。



《图七 输入电压与充电时间曲线图仿真结果与实测结果之比较(考虑损失)》
《图七 输入电压与充电时间曲线图仿真结果与实测结果之比较(考虑损失)》

实际充电波形

可利用公式七、公式八、公式九、公式十仿真输出电压充电曲线、输入电流波形以及LX电压波形。针对变压器一次侧电感为5μH、匝数比为1:15,限制电流峰值为1.2A,输入电压为3.5V,输出电压由0V到300V的条件下可得仿真波形与实际量测之波形,如(图八)。



《图八 输出电压、输入电流以及LX电压仿真结果与实测结果之比较》
《图八 输出电压、输入电流以及LX电压仿真结果与实测结果之比较》

结论

输出电压、输入电流以及LX电压仿真结果与实测结果之比较本文章针对MAX8622限制电流峰值控制方式的闪光灯充电线路做一完整分析与仿真,推导出的公式可以帮助我们更了解每个参数变化的影响,并可利用所推导之公式仿真出许多结果,再与实际量测之结果比较,可以发现相差接近。由仿真与实测结果也可得知MAX8622此种控制架构可以有效抑制输入突波电流(inrush current)并快速且有效率的充饱输出电容。由此分析亦可得知此种架构决定充电时间较重要的参数为一次侧?值电流与变压器的匝数比。


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