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台积电研发微流道散热 冷却技术纳入先进封装

AI晶片算力与功耗持续攀升,热管理正从资料中心、伺服器机柜及冷板,进一步向半导体制程与先进封装内部推进。随着CoWoS、3D IC等异质整合提高晶片密度,热源更集中於封装内部,传统由晶片表面向外散热的架构逐渐面临热阻瓶颈,促使微流道(Microchannel)成为下一阶段AI晶片散热的重要技术方向。


台积电已将微流体散热纳入研发布局,朝先进封装整合方向发展。现阶段Direct-to-Chip液冷主要透过冷板贴近晶片封装表面,再利用冷却液带走热量;微流道则把微型液体通道设置於封装盖板、封装结构,甚至进一步逼近晶片核心与主要热源,可缩短热传路径、降低热阻,提升高热通量晶片的冷却能力。台积电目前的3DFabric先进封装体系已涵盖SoIC、CoWoS与InFO,散热若进一步与封装整合,热管理将可能成为封装架构设计的一环。



图一 : 微流道能够让AI晶片在功耗持续提高时维持效能密度,成为突破「散热墙」的重要路径,因此成为下一阶段AI晶片散热的重要技术方向。
图一 : 微流道能够让AI晶片在功耗持续提高时维持效能密度,成为突破「散热墙」的重要路径,因此成为下一阶段AI晶片散热的重要技术方向。

不过,微流道目前仍处於产业化与量产技术竞逐阶段,尚未形成单一主流架构。流道究竟整合於盖板、中介层或更靠近晶片的位置,涉及不同材料、制程与可靠度取舍;当冷却液越靠近昂贵AI晶片,微米级流道加工精度、密封、材料相容性、流阻与堵塞,以及热循环造成的翘曲、裂缝和漏液风险,都可能直接影响封装良率与产品寿命。因此,量产成本、长期可靠度及与既有封装制程相容性,将成为技术能否真正落地的关键。
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