因应绿色节能 三星推40奈米技术4Gb DDR3

三星电子（Samsung）今（24）日宣布，开始量产运用40奈米级制程技术完成的低功耗（节能）4 gigabit（Gb）DDR3产品。此高密度记忆体将为资料中心（data center）、伺服器系统与高阶笔记型电脑节省相当显着的功率。

三星的40奈米级技术节能DDR3是为了伺服器产品而进行最隹化，以提升其能源效率的等级，得以遵循、甚至超越新的能源之星（Energy Star）功耗规定。4Gb DDR3的量产可提高伺服器使用记忆体的总量至每一模组32GB，是基於2Gb元件的模组密度最高值的两倍。随着4Gb DDR3开始量产，三星计画将90%以上的DDR DRAM改由40奈米级制程技术生产，以提供三星客户当今最低成本的DRAM元件。

三星电子表示，伺服器在一颗CPU状态下可装设平均6个RDIMM??槽，容纳高达96GB DRAM，功耗会因为元件特色而有所不同。一个基於60奈米级技术的1Gb DDR2模组会消耗210W，而基於40奈米级技术的2Gb DDR3模组可节省约75%功耗，只消耗55W，然而，全新的40奈米级技术4Gb DDR3模组则可省下高达83% 功耗，仅仅消耗36W。随着对於资料中心能源成本的日趋重视，这些记忆体省下的功率等同於减少伺服器整体系统10%的功耗。
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