ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制

半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用於基地台、资料中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。

图一 : EcoGaN首波产品?GNE10xxTB系列?有助基地台和资料中心实现低功耗和小型化

一般来说，GaN元件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，有助降低各种电源功耗和实现周边元件小型化。但其闸极耐压很低，因此在开关工作时的元件可靠性方面尚存在课题。针对该课题，ROHM新产品透过独创结构，成功将闸极-源极间额定电压从过去的6V提高到了8V。也就是说，在开关过程中即使产生了超过6V的过冲电压，元件也不会劣化，有助提高电源电路的设计馀裕和可靠性。此外，该系列产品采用支援大电流且具有出色散热性的通用型封装，将使安装工程的操作更加容易。

新产品於2022年3月起开始量产，前段制程的制造据点为ROHM Hamamatsu （日本浜松市），後段制程的制造据点为ROHM（日本京都市）。
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