EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用

EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同。封装元件将由EPC Space提供。

图一 : EPC推出高功率密度和效率的100 V抗辐射电晶体，用於要求严格的航太应用

凭藉具备更高的击穿?度、更低的闸极电荷、更低的开关损耗、导热性和超低的导通电阻等优势，氮化??功率元件明显比矽基元件优胜，针对要求严格的航太任务，可以实现更高的开关频率、功率密度、效率以及更小型化和更轻的电路。与矽解决方案相比，基於氮化??元件的解决方案可以在更高的总辐射量、SEE 和LET下工作。

受益於具备电气和抗辐射性能的EPC7004的应用包括DC/DC电源、马达控制、光达、深层探测以及用於航太应用、卫星和航空电子设备的离子推进器。其他抗辐射产品包括40 V至200 V的氮化??产品可供选择。
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