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是德、新思与Ansys推出台积电4nm RF FinFET制程叁考流程
 

【作者: 籃貫銘】2023年10月05日 星期四

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是德科技、新思科技和宣布,为台积电最先进的4奈米射频FinFET制程技术TSMC N4P RF,推出全新的叁考设计流程。此叁考流程基於Synopsys客制化设计系列家族 (Synopsys Custom Design Family),并整合了Ansys多物理平台,为寻求具有更高预测准确度和生产力的开放式射频设计环境的客户,提供完整的射频设计解决方案。


下一代无线系统具有更高的频宽、更多连接的装置、较低的延迟和更广泛的覆盖范围。用於无线数据传输的射频整合电路 (如收发器和射频前端组件) 的设计复杂性不断增加。较高的电路频率、较小的特徵尺寸和复杂的版面相依效应使得高速设计物理学具有挑战性,需要更准确和全面的建模和模拟,以达到最高的效能和稳健的产品可靠度。


台积电4nm射频 (RF) 设计叁考流程在Synopsys Custom Compiler 设计和版面环境中改善了设计迭代时间和版面生产力。叁考设计流程的认证包括对台积电的 4 奈米 RF 制程设计套件 (PDK) 进行严格验证,使用关键设计组件,包括次 6 GHz 低噪声放大器 (LNAs) 和 LC 调谐电压控制振荡器 (LC VCOs)。该叁考流程采用了业界领先的工具,可实现高效的被动元件合成、EM 模型提取、考虑热效应的电迁移分析 (包括装置金属),以及具有正确处理电感器电路 (Circuit Under Inductor;CUI) 结构的後版面提取。
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