瑞萨与台积电合作开发车用28奈米MCU

瑞萨电子与台积公司合作开发28奈米嵌入式快闪记忆体(eFlash)制程技术，以生产支援新世代环保汽车与自动驾驶车的微控制器(MCU)。采用此全新28奈米制程技术生产的车用MCU预计於2017年提供样品，2020年开始量产。

图一 : 瑞萨与台积公司合作开发支援新世代环保汽车与自动驾驶车之28奈米微控制器

瑞萨与台积公司自90奈米技术世代开始便密切合作开发内建快闪记忆体的MCU产品。为了使未来的环保汽车与自动驾驶车更具节能效益且更可靠，双方在合作40奈米MCU平台与生产四年之後，扩大合作至28奈米MCU的开发。透过此次合作，瑞萨具备高可靠性及高速优势的金属氧化氮氧化矽(MONOS)eFlash技术，将结合台积公司高效能、低功耗的28奈米高介电层金属闸制程技术，生产全球顶尖的车用MCU产品，以支援广泛的应用，例如自动驾驶车的感测器控制、电子控制单元(ECU)之间的协调控制、环保汽车的高效率燃油引擎控制、以及电动车的高效率马达变频器控制。

为了满足未来自动驾驶车对於高效能与安全性的严格要求，新世代MCU利用3D雷达监测车辆四周环境，以实现高精度的感测功能，同时可整合多个感测器的资料，并且具备自动驾驶操作时所需的即时判断处理能力。能够安全控制自动驾驶功能的ECU亦需要新世代的MCU快速处理复杂的控制任务(包括失效稳定运作能力、安全性、以及对多个ECU之间协调控制的支援)，并提高整体系统的能源效率及功能安全性。
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