NAND短期供需舒缓 未来五年仍将供不应求

由於制造供给端成长不如预期，造成今年整体储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场供不应求，但此情况於明年将获得改善。根据市调机构预估，明年NAND Flash供给将增加42.9%，短期内市场可??转为供需平衡，但未来五年仍旧呈现供不应求的局面。

图一 : 根据市调机构预估，明年NAND Flash供给将增加，短期内市场可??转为供需平衡，但未来五年仍旧呈现供不应求的局面。

今年整体NAND Flash市场呈现供不应求的状态，主要的原因是来自於智慧型手机搭载容量与伺服器需求成长快速。群联电子董事长潘建成也认为，如今快闪记忆体容量的需求正以倍增的速度持续成长，但制造供给端的成长受限於扩厂时间及良率技术门槛，是已经跟不上需求增长的速度了。NAND Flash供应商转进3D制程不如预期，因此今年整体NAND Flash市场出现供不应求的情况。

但市调机构Trend Force预估，随着非三星阵营供应商3D制程趋於成熟，明年NAND Flash供给可??增加42.9%，而记忆体厂美光(Micron)更看好将大增50%。而针对市场预期，Trend Force则表示，明年NAND Flash市场需求将成长约37.7%，因此整体市场供不应求的情况在明年可??转为供需平衡。
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