英飛凌800 V CoolMOS P7系列為效率和散熱性樹立新標竿

【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出 800 V CoolMOS P7 系列產品。採用 Superjunction 技術，800 V MOSFET 不但擁有同級最佳化效能且相當易於使用。新產品適用於低功率 SMPS 應用，完全符合市場對於效能、簡易設計和性價比的需求，並主要著重於充電器、LED 照明、音訊、工業與輔助電力等應用中常見的返馳式拓樸。

圖一 : 800 V CoolMOS P7 系列提供高達 0.6% 的效率增益，且相較於類似產品可為 MOSFET 降溫攝氏 2度到 8度。

800 V CoolMOS P7 系列提供高達 0.6% 的效率增益。相較於 CoolMOS C3 或其他品牌元件，本系列在典型返馳式應用測試中，可為 MOSFET 降溫攝氏 2 度到 8度。這項新標竿是結合最佳化裝置參數的成果：包括降低超過 50% 的 Eoss 與 Qg 及減少 Ciss 與 Coss。更優異的效能可透過更低的切換損耗和更佳的 DPAK RDS(on) 產品，實現更高功率密度的設計。整體而言，可幫助客戶節省 BOM 成本並減少組裝的工作量。

本系列產品的另一項特色是非常易於使用，整合型齊納二極體可大幅提升 ESD 耐用性，因而減少 ESD 相關的產品良率損失。藉由V(GS)th=3V 和僅+/-0.5 V 的最小 V(GS)th 變動，MOSFET 不但易於驅動和納入設計，這樣的組合可達成更低的驅動電壓和切換損耗，並有助於避免線性區域的非預期操作。
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