英飛凌投資擴大馬來西亞前端製造工廠 提升SiC和GaN產能

為了大幅提升寬能隙（碳化矽和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。英飛凌科技將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後，新廠區將用於生產碳化矽和氮化鎵功率半導體產品。

圖一 : 英飛凌位於馬來西亞居林的前端製造基地鳥瞰圖，新廠區落成將用於生產碳化矽和氮化鎵功率半導體產品。

此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產製造長期戰略的決策，居林工廠在8吋晶圓生產方面所取得的規模經濟效應為該專案奠定良好的基礎。英飛凌位於奧地利菲拉赫和德國德勒斯登的12吋晶圓廠奠定了公司在半導體市場的領導地位。居林工廠的投資擴產將進一步鞏固和提升地位，強化公司整體的競爭優勢。

英飛凌營運長 Jochen Hanebeck 表示：「創新技術和綠電能源的應用，是降低碳排放的關鍵。再生能源和電動汽車是推動功率半導體市場持續強勁增長的主要驅動力。英飛凌透過擴大碳化矽和氮化鎵功率半導體的產能，為迎接寬能隙半導體市場的快速發展做好準備。我們正在將位於菲拉赫的開發能力中心與居林工廠高成本效益的寬能隙功率半導體生產製造相結合，打造成功的組合。」兩處擁有寬能隙半導體量產能力的工廠將增強供應鏈彈性。
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