ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓！

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品，透過將散熱面置於封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝（TO-247-4L）同等級的散熱性能。將該元件運用於電動車（xEV）車載充電器（OBC）和電動壓縮機等應用時，有助提升功率轉換電路的效率和可靠性。

新產品透過ROHM獨家溝槽設計，確保了業界最高等級※6.66mm的沿面距離*1 。此外，新產品不僅與市場上常見封裝相容，同時實現了污染等級2級*2 環境下1200V交流峰值電壓耐受能力。因此在高耐壓應用中可實現安全的絕緣設計，助力降低安裝成本並提高可靠性。

圖1

另外透過ROHM第4代SiC MOSFET，更實現了低導通電阻和高速開關特性，使功率轉換時的開關損耗大幅降低，有助應用產品進一步提高效率並更加節能。
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