ROHM開發出實現業界頂級低損耗650V耐壓IGBT

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時具備出色的短路耐受能力*2，符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101*3。

該產品透過改善製程以及包含週邊結構在內的元件結構，提高了電流密度，同時降低了導通損耗和開關損耗。而且與低損耗特性難以兼顧的高短路耐受能力在Tj=25℃時也可達到7微秒（μs）。因此非常有助應用產品進一步提高效率和可靠性。

圖1

產品陣容包括採用TO-247N封裝的「RGAxxTS65HR／RGAxxTS65EHR」共12個型號，和裸晶片形式的「SG83xxWN」共10個型號。另外ROHM也正在開發TO-247-4L封裝的「RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR」共12個型號的產品。
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