Ansys多物理場解決方案 通過台積電3D IC封裝技術認證

Ansys先進半導體設計解決方案通過台積電（TSMC）高速CoWoS-S （CoWoS with silicon interposer）和InFO-R（InFO with RDL interconnect）先進封裝技術認證。這讓客戶針對整套整合2.5D和3D晶片系統，簽核耗電、訊號完整性和分析熱效應衝擊，確認其可靠度。

圖一 : 展示多晶片整合的Nvidia晶片。圖片由Nvidia提供。

台積電針對下一代CoWoS-S和InFO-R先進封裝技術，認證包含Ansys Redhawk-SC Electrothermal的Ansys RedHawk和Ansys RaptorH系列多物理場解決方案。該認證涵蓋晶粒和封裝共同模擬與共同分析，以便進行萃取、耗電和訊號完整性分析、耗電和訊號電子遷移（EM）分析以及熱分析。該全面的耗電、熱、訊號完整性和EM分析工具套件有助於模擬、計算和減少可靠度問題，進而實現最佳電機效能。

台積電設計建構管理處資深處長Suk Lee表示：「我們結合Ansys的多物理場解決方案和台積電的CoWoS以及InFO先進封裝技術的合作成果，幫助雙方共同客戶應對設計的複雜度和挑戰。我們透過與Ansys的長期合作，幫助客戶改善和驗證其最先進設計，以滿足嚴格的效能和可靠度標準。」
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