台灣兩大記憶體廠南亞科技(Nanya Technology)與鈺創科技(Etron Technology)於今日共同宣布將合資新台幣5億元,成立一家專注於AI記憶體設計服務的新公司,將是搶攻AI邊緣運算市場商機的關鍵一步。
根據協議,新公司將由南亞科持股80%,鈺創持股20%,總部將設立於新竹市。這家合資公司將結合南亞科在DRAM(動態隨機存取記憶體)領域先進的製程技術與龐大產能,以及鈺創在記憶體設計領域累積多年的豐厚經驗與創新能力,共同開發客製化的超高頻寬記憶體(High-Bandwidth Memory, HBM),專門鎖定高效能、低功耗的AI邊緣運算應用。
此次合作案是「製造」與「設計」的結合。南亞科作為全球主要的DRAM供應商之一,擁有穩定的10奈米級製程技術與量產能力;而鈺創科技長年深耕利基型記憶體設計,在客製化產品開發上擁有高度靈活性與創新思維,正好能彌補大型DRAM廠較難以滿足的少量多樣市場需求。
南亞科表示,透過此次合資,將能更有效地運用公司現有的先進製程產能,切入高附加價值的客製化記憶體市場。鈺創則指出,與南亞科的合作將能加速其在AI領域的佈局,並將設計好的產品快速導入量產,共同拓展AI邊緣運算的多元應用商機。
過去AI運算高度集中在雲端資料中心,然而隨著物聯網(IoT)裝置的普及、智慧工廠、自動駕駛、無人機等應用的快速發展,即時反應、低延遲與數據隱私的需求日益增高,推動了AI運算由雲端向邊緣裝置轉移的「AI邊緣運算」(Edge AI)浪潮。根據市場研究機構預測,全球AI邊緣運算市場規模將在未來數年內呈現爆炸性成長。
在這些邊緣裝置中,無論是處理影像辨識、自然語言處理還是感測器數據融合,都需要在有限的功耗和體積下,實現高效的數據處理。這也使得傳統的記憶體架構面臨瓶頸,為客製化、高效能的記憶體解決方案創造了龐大的市場需求。
HBM透過3D堆疊技術,能在極小的體積內實現遠高於傳統DDR記憶體的頻寬,同時降低功耗,是當前高效能運算(HPC)與AI加速器的核心元件。然而,目前市場上的HBM主要由國際大廠所主導,且規格相對標準化,難以完全滿足多樣化且碎片化的邊緣運算應用場景。
南亞科與鈺創合資的新公司,其核心目標正是開發「客製化」的超高頻寬記憶體。這意味著他們可以根據不同邊緣應用(如智慧監控攝影機、工業電腦、AR/VR裝置等)的特定需求,在頻寬、容量、功耗和尺寸上進行最佳化設計,提供更具競爭力的解決方案。這不僅能開創出新的藍海市場,也能避開與國際大廠在標準型HBM市場的直接競爭。

