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韓國三星與SK海力士聯手OpenAI 加速全球AI基礎設施競賽 (2025.10.01)
韓國兩大記憶體製造巨頭三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)宣布一項合作案,將與OpenAI攜手,共同推動全球AI基礎設施的發展。這項合作是在韓國總統李在明陪同下,與OpenAI執行長Sam Altman會面後正式確立的,標誌著韓國在全球AI競賽中的關鍵角色
SK海力士HBM4全球首量產 頻寬翻倍、功耗效率大增40% (2025.09.15)
南韓半導體大廠SK海力士(SK hynix)今日宣布,已完成新一代高頻寬記憶體HBM4的開發並進入量產,成為全球首家量產該規格的廠商,為AI市場投下震撼彈。 相較前代產品,HBM4的頻寬直接翻倍,功耗效率提升超過40%,運行速度更超越10Gbps的產業標準
台灣供應鏈突圍與全球先進封裝競局 (2025.09.08)
本文聚焦台灣供應鏈如何化解卡點,並延伸至HBM4/HBM4e技術節點與美日韓擴產後的全球競局。
AI熱潮推升HBM需求 SK海力士登上全球DRAM收入冠軍 (2025.09.03)
AI運算浪潮持續升溫,高頻寬記憶體(HBM)也成為推動產業轉型的關鍵核心。根據最新市場調查,HBM 在資料中心 AI 伺服器與先進 GPU 應用需求的帶動下,出現前所未有的成長
SK hynix:AI專用記憶體市場年增30% HBM成長動能強勁 (2025.08.12)
韓國記憶體大廠SK hynix近日預測,未來數年內專為人工智慧(AI)應用設計的記憶體市場將以每年約30%的速度快速成長,其中,高頻寬記憶體(HBM)系列產品將成為主要推動力
AI熱潮助攻 美光上修第四季財測 (2025.08.11)
受惠於人工智慧基礎設施對高階記憶體晶片的強勁需求,美國記憶體大廠美光科技大幅上調其會計年度第四季的營收與獲利預期,為半導體市場的AI多頭格局再添柴火。 美光在最新的財務預測中指出,預計第四季營收將達到 112億美元
南亞科攜鈺創合資5億成立AI記憶體設計公司 劍指邊緣運算 (2025.08.07)
台灣兩大記憶體廠南亞科技(Nanya Technology)與鈺創科技(Etron Technology)於今日共同宣布將合資新台幣5億元,成立一家專注於AI記憶體設計服務的新公司,將是搶攻AI邊緣運算市場商機的關鍵一步
美光HBM4已送樣主要客戶 12層堆疊36GB記憶體助攻AI運算 (2025.06.12)
美光科技今日宣布,其12層堆疊36GB HBM4記憶體已送樣給多家主要客戶。其 1β(1-beta)DRAM 製程、經驗證的12層的記憶體內建自我測試(MBIST)功能,是專為開發下一代AI平台所設計
HBM4加速AI創新發展 美光12層堆疊HBM4送樣多家客戶 (2025.06.12)
隨著生成式 AI 蓬勃發展,推動資料中心與雲端運算能力不斷向上突破,高頻寬記憶體(HBM)扮演的角色變得前所未有地關鍵。美光科技12層堆疊、容量36GB的HBM4記憶體已送樣給多家客戶,標誌著AI運算架構進入全新里程
2025年HBM市場將在創新與競爭中加速發展 (2025.01.06)
作為高效能運算的核心半導體元件之一,HBM(高頻寬記憶體)以其高頻寬、低延遲和低功耗的特性,吸引了全球主要記憶體廠商的深度關注。HBM技術不僅支撐AI模型的快速運行,更助力資料中心與邊緣運算應用的性能提升
DRAM製程節點持續微縮並增加層數 HBM容量與性能將進一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速發展,記憶體技術成為推動這一技術突破的關鍵。生成式 AI 的模型訓練與推理需要高速、高頻寬及低延遲的記憶體解決方案,以即時處理海量數據。因此,記憶體性能的提升已成為支撐這些應用的核心要素
研究:2024年前三季全球晶圓製造設備市場成長3% 記憶體成核心驅動力 (2024.11.26)
根據Counterpoint Research最新數據顯示,2024年前三季全球前五大晶圓製造設備(WFE)廠商的總營收年增3%,其中記憶體市場需求的強勁拉動成為關鍵推手,特別是高頻寬記憶體(HBM)和DRAM的需求大幅提升
[SEMICON] 經濟部發表MOSAIC 3D AI晶片 劍指HBM市場 (2024.09.04)
在今年的2024 SEMICON TAIWAN展中,經濟部產業技術司主題館共展出45項前瞻技術,其中最受矚目的,是全球首款專為生成式AI應用設計的MOSAIC 3D AI晶片。這款晶片不僅榮獲2024 R&D100大獎,更可望成為市場上供不應求的高頻寬記憶體(HBM)的替代方案,為AI產業帶來更高效能、彈性與性價比的選擇
HBM應用優勢顯著 高頻半導體測試設備不可或缺 (2024.08.27)
HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。 儘管HBM在性能上具有顯著優勢,但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。 TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵,但也帶來了測試的複雜性
AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸 (2024.08.21)
HBM非常有未來發展性,特別是在人工智慧和高效能運算領域。隨著生成式AI和大語言模型的快速發展,對HBM的需求也在增加。主要的記憶體製造商正在積極擴展採用3D DRAM堆疊技術的HBM產能,以滿足市場需求
SEMI:2024年全球半導體設備總銷售額創新高 (2024.07.11)
SEMI國際半導體產業協會公布年中整體 OEM 半導體設備預測報告,預估 2024 年全球半導體製造設備銷售總額將較去年同比增長 3.4%,攀上 1,090 億美元新紀錄,成長力道也將延續至 2025 年,在前、後段製程需求共同驅動下,銷售總額可望再創歷史新高,來到 1,280 億美元
美光發布2024年永續經營報告 強化發展永續經營和先進技術 (2024.07.04)
美光科技發布 2024 年永續經營報告。美光致力於實踐環保並已取得實質進展。2023 年,美光的直接排放(範疇一)溫室氣體排放量相比 2020 年減少了 11%。預計 2025 年底前實現在美國採用 100% 再生能源供應的承諾
美光正式量產HBM3E 功耗較前代降低約 30% (2024.02.27)
美光科技今宣布,其 8 層堆疊 24GB HBM3E解決方案已正式量產。美光 HBM3E 解決方案將應用於 輝達 H200 Tensor Core GPU,預計於 2024 年第二季出貨。 美光執行副總裁暨事業長 Sumit Sadana 表示:「美光在 HBM3E 此一里程碑上取得了三連勝:領先的上市時間、業界最佳的效能、傑出的能源效率
Ansys與Humanetics展開深入合作 提升人類安全 (2024.01.29)
Ansys 宣佈已達成最終協議,將從於 2018 年首次投資 Humanetics 的全球私募股權公司 Bridgepoint,收購 Humanetics 的少數股權。交易須遵守慣例的結算條件,並獲得必要的監管批准
美光發布首款8層堆疊24GB HBM3 實現1.2TB/s頻寬 (2023.07.30)
美光科技宣布推出業界首款第二代 8 層堆疊(8-High)24GB HBM3,並開始送樣。此產品頻寬達 1.2TB/s 以上,每腳位傳輸速率超過 9.2Gb/s,較目前市面上的HBM3解決方案高出 50%。此外,美光第二代HBM3的每瓦效能較前幾代產品提升2.5 倍,刷新 AI 數據中心的關鍵性能、容量及功耗指標

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1 南亞科攜鈺創合資5億成立AI記憶體設計公司 劍指邊緣運算
2 美光HBM4已送樣主要客戶 12層堆疊36GB記憶體助攻AI運算
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5 2025年HBM市場將在創新與競爭中加速發展
6 研究:2024年前三季全球晶圓製造設備市場成長3% 記憶體成核心驅動力
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10 SK海力士HBM4全球首量產 頻寬翻倍、功耗效率大增40%

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