ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室

比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具。

圖一 : High NA實驗室內的TWINSCAN EXE:5000高數值孔徑極紫外光曝光機首次展示一次曝光完成超高密度的10奈米導線圖形。

這座由ASML與imec共同成立的High-NA EUV實驗室宣布正式啟用，象徵著高數值孔徑極紫外光製程預備投入量產的里程碑—預計將於2025~2026年實現。imec與ASML把high-NA EUV原型機與相關工具（包含光阻塗佈與顯影機、量測工具、晶圓與光罩處理系統）開放給尖端的邏輯和記憶體晶片製造商使用，藉此協助他們在晶圓廠啟用high-NA EUV曝光機之前，先降低該技術的開發風險，並開發自有的應用案例。這些資源也會開放給材料商及設備商的廣泛生態系統，以及imec的高數值孔徑圖形化研究計畫。

為了讓0.55數值孔徑的EUV曝光機及基礎設施順利啟用，隨之而來的準備工作早在2018年展開積極部署。這段期間，ASML與蔡司（ZEISS）成功開發了high-NA EUV曝光機的專用解決方案，包含曝光源、光學元件、鏡頭變形、光罩場域拼接、縮短焦點深度、邊界放置誤差及疊對準確性。同時，imec與其廣泛的供應網絡緊密合作來籌備圖形化生態系統，包含開發了先進的光阻劑與塗料底層材料、光罩、量測及檢測技術、（變形）成像技術、光學鄰近修正（OPC）、整合光罩圖樣及蝕刻技術。
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