imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構

比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構。在單次曝光後，9奈米和5奈米（間距19奈米）的隨機邏輯結構、中心間距為30奈米的隨機通孔、間距為22奈米的二維特徵，以及間距為32奈米的動態隨機存取記憶體（DRAM）專用佈局全部成功成形，採用的是由imec與其先進圖形化研究計畫夥伴所優化的材料和基線製程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態系統已經準備就緒，能夠實現高解析度的high NA EUV單次曝光。

圖一 : (a)imec為DRAM應用展示電荷儲存節點連接墊與位元線周邊電路的整合;(b)圖形轉移後的9奈米及5奈米隨機邏輯結構（間距為19奈米）。

由艾司摩爾與imec共同成立於荷蘭費爾德霍溫的High NA EUV微影實驗室在近期啟用後，客戶現在可以使用TWINSCAN EXE:5000高數值孔徑極紫外光曝光機來開發非公開的high NA EUV應用案例，這些案例也能運用客戶各自的設計規則和佈局。

imec成功利用單次曝光，形成間隔為9奈米與半線寬為5奈米的隨機邏輯結構，相當於間距為19奈米，圖形頂端（tip-to-tip）的間距達到20奈米以下。中心間距為30奈米的隨機通孔充分展示了絕佳的圖形保真度與關鍵尺寸均勻度。此外，間距為22奈米的二維特徵也展現了傑出的性能，突顯了利用高數值孔徑微影技術來實現2D佈線的發展潛力。
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