法國微電子研究機構CEA-Leti與意法半導體攜手展示了一個基於28奈米超薄體以及下埋氧化層（UTBB，ultra-thin body buried-oxide）FD-SOI技術的超寬電壓範圍（UWVR，ultra-wide-voltage range）數位訊號處理器（DSP，digital signal processor）。

該元件由意法半導體採用28奈米超薄體以及下埋氧化層的完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）製程，基底電壓（body-bias-voltage）調壓範圍0V至+2V，可降低電路最低工作電壓，在400mV時支援460MHz時鐘頻率（clock-frequency）。

透過整合雙方的設計技術，展品取得了超寬的電壓範圍、更高能效和空前的電壓效率和頻率效率。意法半導體和Leti開發並最佳化了0.275V－1.2V標準單元庫：透過利用非重疊功率－性能特性，取得了理想的實現成果。在最佳化單元中，快速脈波觸發型正反器（fast pulse-triggered flip-flops）是針對低壓可變性容限設計。
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