瑞薩以1/2封裝尺寸實現最高75安培電流

瑞薩電子近日宣佈，推出七款採用HSON封裝之功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），適用於汽車電子控制單元，例如引擎管理及電子幫浦馬達控制等應用。

圖一 : 七款採用8-Pin HSON封裝之功率MOSFET

新產品包括額定電壓40V及60V的N Channel MOSFET，及額定電壓–30V的P Channel MOSFET，可應用於各類螺線管、馬達開關，或電池正負極逆向保護。新款產品具有下列特色：(1)採用HSON封裝，尺寸為現有TO-252封裝的一半；(2)直流電耐壓可達75安培；(3)支援動作溫度最高可達175°C。特別是NP75N04YUG產品可處理75安培的連續電流，以及超低的4.8 mΩ最大額定導通電阻，在業界目前採用同等級封裝之車用MOSFET中，效率等級最高之產品。

車用電子控制單元的數量逐年增加，對於模組體積小型化、輕量化及功能最大化的需求也隨之增加。瑞薩電子新推出的MOSFET產品，專為符合小型化、高功率密度系統的需求而設計。新開發的8-Pin HSON封裝品質適用於汽車電子系統，並可維持與體積較大之TO-252封裝MOSFET產品相同效能。