宜普電源推出單片半橋式氮化鎵功率電晶體

為了協助功率系統設計增加效率與功率密度，宜普電源轉換公司（EPC）推出60 V單片半橋式氮化鎵功率電晶體-- EPC2101。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成?單個元件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得電晶體的占板面積?少50%。結果是可

圖一

增加效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度，推動28V轉1 V負載點轉換器在14 A輸出電流時實現超過87%效率；並同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。理想的應用領域是高頻直流-直流轉換。

在EPC2101半橋式元件內，每個元件的額定電壓是60 V。上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）的典型值是8.4 ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2。高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的1/4，使得具有高VIN/VOUT比值的降壓轉換器可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2101使用晶片封裝方式以改善開關速度及散熱性能。其尺寸為6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。
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