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科胜讯生产矽锗半导体SiGe通讯元件
SiGe通讯元件应用于低耗电量之无线通讯及高速网路产品

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年02月10日 星期四

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科胜讯系统公司(Conexant Systems, Inc.)宣布该公司已完成进阶硅锗(SiGe)制程的开发工作,使用此种制程技术,将可大幅降低无线通信系统、高速网络系统中半导体产品的电力需求。科胜讯系统目前在Newport Beach的高产量晶圆厂已开始利用硅锗制程生产新型通讯半导体装置,预计在今年中旬可将一系列产品付诸量产;再过约六个月,待硅锗半导体产品上市之后,科胜讯系统将与IBM同时成为全球唯一具有量产规模SiGe BiCMOS半导体制程的两家公司。

硅锗制程技术被业界视为新一代通讯产品的关键技术,可让通讯产品体积更小、效率更高,以及更省电。这种技术结合了硅与锗两者的电气特性,可将线路切换速度(circuit switching speed)提升至原来的2~4倍,同时并保有传统硅晶技术的成本优势与整合效益。科胜讯系统的硅锗制程目前已首先应用于其0.35微米高产量双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)生产技术,此外该制程经过优化后亦可生产全世界耗电量最低的硅锗组件,以应用于目前的高频率无线通信与高速网络产品。

科胜讯系统初期将使用硅锗制程技术生产高度整合、低耗电量的RF集成电路(IC),供无线手机及进阶无线通信终端机制造使用。另外科胜讯系统也将推出更高频率的硅锗制程版本,并将于今年中旬付诸量产,以生产OC-192同步光纤网络(SONET)组件,应用于目前全球Internet架构核心的高速光纤网络配备中。

關鍵字: 硅锗  RF  同步光纤网络  科勝訊  IBM  无线通信收发器 
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