账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
瑞萨推出RX23E-A产品家族 首款内建类比前端的RX微控制器
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2019年05月29日 星期三

浏览人次:【3458】

瑞萨电子日前推出32位元RX微控制器(MCU)的RX23E-A产品家族,将高精确度的类比前端(AFE)和MCU结合在单一晶片上。RX23E-A MCU专为制造测试和量测设备应用产品而设计,这些设备要求高精确度的类比讯号量测,用来测量温度、压力、重量和流量。RX23E-A MCU是瑞萨第一款在无校正下,就能够提供优於0.1%精确度来测量此类讯号的解决方案。

瑞萨电子日前推出32位元RX微控制器(MCU)的RX23E-A产品家族
瑞萨电子日前推出32位元RX微控制器(MCU)的RX23E-A产品家族

这款新型MCU实现了业界最高等级的AFE精确度(偏移漂移:10 nV /摄氏、增益漂移:1 ppm /摄氏、RMS杂讯:30 nV rms),这种水准在以往只能透过结合运用高精确度运算放大器IC的专用A/D转换器电路来达成。瑞萨藉由使用相同的制造制程技术,将这种高精度AFE IP(智慧财产权)整合在单一晶片上,现在可以在单晶片上,实现高精确度感测器的量测、计算、控制和通讯。这使得系统制造商可在需要高精确度量测的各式设备中,削减所需的元件数量,以节省空间并简化系统设计。而这样的高精确度量测,包含了感测、温度控制器、记录、称重和力道感测等。此外,也可藉由启用MCU的分散式处理,来加速端点智慧化。

瑞萨电子公司工业自动化业务部??总裁传田明(Akira Denda)表示:「RX23E-A MCU将彻底改变高精确度类比量测系统的结构。展??未来,瑞萨的目标是提供庞大的产品线,由RX23E-A产品组开始,在单晶片上整合MCU和高精度类比单元,用於可程式逻辑控制器、分散式控制系统应用产品,以及需要进行各种更高精确度量测的测试量测设备。」

由大数据所带动的品质和生产力改良,让工厂和生产基地面临压力,而必须准确可靠地测量各式各样感测器的资料。由於使用者在各种环境温度下以高精确度测量小讯号时,要求的是稳定性,因此将杂讯特性和温度漂移特性降低到较低的水准,是非常重要的。瑞萨为了满足这些需求,开发了一种高精度AFE,并将其整合到RX MCU中,因为RX MCU已在工业应用产品中,拥有大量实绩。

RX23E-A MCU是以RXv2核心为基础,具有32 MHz的执行速度、一颗数位讯号处理器(DSP)、以及最高级浮点单元(superlative FPU)计算。这就可以使用6轴失真资料,并运用温度资料和逆矩阵计算,来实现适应性控制。例如,机器手臂力道感测器就必须在狭小的空间内,测量和计算6轴失真。RX23E-A MCU可以使用单一晶片,测量6轴失真资料,并执行逆矩阵计算。

RX23E-A MCU的重要特性

· AFE方块

- 24位元的delta-sigma A/D转换器:最高23位元有效解析度。资料输出速率在7.6 PS至15.6 kPS之间均可,有弹性。

- 两组24位元delta-sigma A / D转换器,可以同步启动,不必切换通道即可执行感测器温度校正。

- PGA(可程式增益放大器):轨到轨输入PGA可以放大至128倍。偏移漂移:10 nV/。C、增益漂移:1 ppm/。C、RMS杂讯:30 nV rms。

- 叁考电压:4 ppm /。C的低温度漂移特性,具有最高的温度稳定性。

- 激励电流源:可程式的电流源,具备所需的匹配,3线式电阻温度检测器必备。

- 类比输入:差动输入:高达6个通道,虚拟差动输入;单端输入:高达11个通道。所有的类比输入都可以用作这两组A/D转换器的输入。

· MCU方块

- CPU:32位元RXv2核心,工作频率为32 MHz。

- 可以使用DPS指令和FPU实现数位讯号处理。

- ROM/RAM:ROM:128到256 KB,RAM:16到32 KB。

- 通讯介面:SPI(1通道)、UART(4通道)、I2C(1通道)、CAN(1通道)。

- 功能安全性:可减少软体负担,透过自我诊断和断线检测协助功能在A/D转换器、时脉频率精度量测电路、独立看门狗计时器上,还有使用RAM测试协助工具在DOC和其他电路上。

· 供电电压:5V。AFE方块和微控制器可使用独立电源。可支援1.8至5.5 V的电压。

· 工作温度:摄氏-40度至+85度、摄氏-40度至+105度

· 封装:48接脚QFP为7 mm见方。40接脚QFP为6 mm见方。

關鍵字: 瑞薩 
相关新闻
英业达与瑞萨合作开发车用连网闸道概念验证
瑞萨选择Altium强化整合全公司PCB开发 加快解决方案设计
瑞萨收购Reality AI推动产品创新组合
Nidec和瑞萨合作开发下一代电动汽车电子桥的半导体解决方案
瑞萨与AMD合作5G射频和数位前端设计平台
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 树莓派推出AI摄影机、新款显示器
» 以爆管和接触器驱动器提高HEV/EV电池断开系统安全性
» 生成式AI引爆算力需求 小晶片设计将是最隹解方
» PCIe传输复杂性日增 高速讯号测试不可或缺
» 挥别续航里程焦虑 打造电动车最隹化充电策略


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK85344ER0QSTACUK4
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw