2013年2月，Altera和英特爾(Intel)共同宣佈新一代Altera的高性能FPGA產品將獨家採用英特爾的14奈米3D三閘極電晶體技術。這代表著FPGA也已跨入3D電晶體世代了。

平面架構與3D電晶體設計的差異示意圖（圖：Altera） BigPic:632x386

全球領先的半導體公司都不斷地針對3D電晶體結構進行最佳化和可製造性研究。國際半導體技術藍圖(ITRS)定義了電晶體技術要求，讓半導體公司們能夠達成對性能、功率和密度和其他必要特性的目標。ITRS及其出版的文件對製造相關部份做出了結論和建議，包括應變矽和High-K金屬閘極，以及目前使用的3D電晶體技術，以便讓半導體技術能夠跟隨摩爾定律(Morre’s Low)的腳步持續向前。

過去二年來，業界有兩次重大技術進展將3D電晶體推向舞台前端，讓它受到世人高度關注。第一次是英特爾公司在2011年5月4日宣佈了22奈米製程三閘極電晶體元件製程的重大進展。在此之前，相關研究早已經進行了許多年。第二個重大事件是ITRS公佈的技術藍圖，這份由業界多家半導體製造公司參與而成的發展藍圖確認了3D電晶體技術將成為半導體產業在20或22奈米設計節點之後能再獲得大幅改善的關鍵技術。

在Altera的一份技術白皮書中提出了從傳統平面架構轉向3D電晶體設計對半導體製造產業帶來的影響，以及這種轉換如何為高性能可編程邏輯帶來更強大的推動力量。文章中介紹了三閘極和相關技術的發展情況，以了解三閘極技術如何能為FPGA提供更高性能，以及該技術如何能為數位電路在速度、功耗和生產可用性方面帶來更多優勢。

[白皮書下載]The Breakthrough Advantage for FPGAs with Tri-Gate Technology