韓國SK海力士公開展示12層HBM4及16層HBM3E技術。此次展示的HBM4容量最高可達48 GB，頻寬為2.0 TB/s，I/O速度為8.0 Gbps，並預計於2025年下半年開始量產。

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同時亮相的還有全球首款16層HBM3E，其頻寬達到1.2 TB/s。SK 海力士聲稱，透過Advanced MR-MUF和TSV技術實現此高密度的堆疊，並有望成為相關技術的先驅。據悉，此HBM3E標準將應用於輝達的GB300 Blackwell Ultra AI叢集，而輝達的Vera Rubin架構則預計採用HBM4。

此外，SK海力士還展示了一系列基於最新1c DRAM標準的高效能伺服器記憶體模組。這些模組包括傳輸速度達12.8 Gbps，容量分別為64 GB、96 GB和256 GB的MRDIMM產品線；傳輸速度為8 Gbps，容量分別為64 GB和96 GB的 RDIMM模組；以及一款256 GB的3DS RDIMM。