中国在记忆体领域正在悄然发动一场变革。据报导，部分中国记忆体制造商正积极推进 DDR5 在AI加速器中的应用，并期??以 DDR5 替代传统由HBM主导的市场。

中国正尝试以DDR5替代传统由HBM主导的AI记忆体市场

在传统架构中，HBM 由於其极高的记忆体频宽与低功耗特性，一直是大型 AI 推理与训练加速器的首选。然而，中国现在看似在转向 DDR5，并企图将其置於 AI 晶片记忆体的新位置。据了解，中国对韩国记忆体的出囗依赖仍在增加，显示其对外采购仍占一席之地，但国内技术追赶的力度亦不容小黥。

这一动向的背後，有几项值得分析的关键因素。首先，HBM 的供应链被少数厂商主导，且其制造设备与封装技术门槛极高，对中国受限於出囗管制的环境造成了不小压力。此外，由於 AI 模型持续增大、记忆体频宽需求攀升，中国内部希??提升自主可控性、降低对外依赖，推动 DDR5 作为替代选项即成为策略之一。

其次，从成本与制造角度来看，DDR5 相对於 HBM 虽然在频宽与功耗方面仍有差距，但其制造设备门槛、制程成熟度皆优於 HBM。对於希??快速建立产能、填补国内市场需求的中国厂商来说，DDR5 是一条「可行但非最理想」的路径。此外，中国有报导指出其 DDR5 良率已达一定水准，这为这条替代之路增加了可行性。

从产业与市场意义来看，这意味着全球高频记忆体市场可能正迎来「超越?HBM?以外」的技术竞争潮流。若 DDR5 在 AI 应用中成功抢占一席，则 HBM 的绝对优势可能被弱化，记忆体需求格局也将出现变化。再者，中国若成功降低对韩国与其他成熟记忆体供应商的依赖，将改写亚洲记忆体供应链的地理分布与竞争态势。

不过仍须注意几个风险面。尽管 DDR5 在短期内可做替代，但从效能、频宽、功耗效率上仍无法完全匹敌 HBM 的高端应用。且中国若要脱离对外采购、达到真正自主化，其在先进封装、TSV堆叠、3D组装等技术上仍面临挑战。因此，这条「DDR5替代 HBM」路线虽有潜力，但仍具有较长的技术追赶期。