据Digitimes报导,针对英飞凌高层日前表示,在与茂德重新谈判合作条件的前提之下,该公司不排除继续将新技术继续授权茂德的讯息,茂德发言人暨董事林育中表示,目前双方关系虽已有改善,但仍不断在股权、产能及技术授权等问题上进行协商。
林育中表示,茂德与英飞凌目前持续在英飞凌持股数量,茂德应释出予英飞凌之产能,以及英飞凌是否要继续技转0.11微米制程技术等问题上积极进行谈判,因此仅能说双方关系已获得改善,未来亦有可能增进双方合作空间
而由于茂德接下来可能的合作伙伴尔必达(Elpida),其采用的制造技术则为堆叠式(Stacked),与英飞凌采用的沟槽式(Trench)技术全然不同,此一状况是否会造成茂德在营运与产能配置上的困扰,也成为外界关注的焦点。为此林育中特别强调,原本的12吋厂将继续使用沟槽式制造技术,但新的晶圆厂将可能会转向堆叠式制造技术,两座晶圆厂将采用不同制造技术,将来也是各自生产DRAM晶圆。
因此若英飞凌有可能继续技术授权茂德,也不会对产能配置造成任何影响。但针对英飞凌技术授权问题,林育中仍再度强调茂德合法拥有使用英飞凌0.11微米制程技术的权利。