富采與德國ALLOS Semiconductors今日宣布締結策略合作，雙方將攜手推動8吋矽基氮化鎵LED(GaN-on-Si LED)磊晶片量產，旨在加速Micro LED於AR等高整合顯示器應用的發展。富采憑藉全球領先的LED磊晶製造技術，結合ALLOS頂尖的矽基氮化鎵技術，標誌著Micro LED產業供應鏈邁向成熟量產的新里程碑。

本次合作開發的GaN-on-Si LED磊晶片，結合了富采的LED結構技術與ALLOS的緩衝結構專利。該技術產出的8吋磊晶片在亮度與能效上可媲美傳統藍寶石基板產品，且因尺寸擴大至8吋以上，大幅提升單片產出面積與生產效率。此外，其超小像素間距能滿足近眼顯示的高解析需求，並具備與現有矽晶圓廠(Si Fab)製程的高度相容性。

富采總經理唐修穆博士表示，此合作為Micro LED建立了具競爭力且可擴展的量產路徑；ALLOS執行長Burkhard Slischka則強調，雙方強強聯手將提供業界最佳的LED效率與卓越的晶圓對接良率(wafer-to-wafer yield)。這項技術突破將有效降低Micro LED晶粒的製造門檻，引領產業進入大規模應用階段。

展望未來，雙方將進一步布局12吋矽基氮化鎵LED磊晶技術，以應對大尺寸晶圓的市場需求並持續降低成本。ALLOS自2020年起已展示12吋量產能力，未來將結合富采的產能優勢優化技術，持續拓展Micro LED的應用潛力。