據網站Semireporter報導，於2002年秋季宣佈合作研發先近半導體製程的IBM與特許半導體（Chartered），將於近期對外發表雙方在90奈米製程上的研發成果。先前曾有業界消息傳出，IBM與特許之製程開發進度稍有落後，以致時間表可能會較原先預期延遲1～2季。

該報導引述特許全球行銷及服務副總裁Kevin Meyer說法指出，IBM與特許90奈米技術研發正依照進度進行，預估2003年內即可將原型（prototype）平台提供給客戶，且可望透過與IBM產能之整合實現多工晶圓（multi-project wafer；MPW）概念。

所謂MPW係指將不同設計之IC製造在單一晶圓上，此舉可縮小IC測試面積、降低IC原型輸出成本。Meyer表示會於9月18日特許在美國聖荷西召開技術論壇之前，公佈90奈米CMOS技術原型和相關資訊。

IBM、特許宣佈合作開發90奈米製程技術時曾表示，預計能在2003年第二季以IBM 8吋晶圓輸出產品原型，之後第三季再以12吋晶圓試產，而特許可運用IBM紐約州East Fishkill廠產能輸出原型或試產90奈米製程晶片，待2005年特許在新加坡12吋廠Fab 7啟用後，IBM亦可享用該廠產能。