意法半导体（ST）宣布其在28奈米 FD-SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12吋（300mm）晶圆厂导入该制程技术，这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技术的能力。在实现极其出色的绘图、多媒体处理性能和高速宽带连接功能的同时，而不牺牲电池的使用寿命的情况下，嵌入式处理器须具有市场上最高的性能及最低的功耗，意法半导体28奈米技术的导入可解决这一挑战，满足多媒体和可携式应用市场的需求。

FD-SOI技术平台包括全功能且通过硅验证的设计平台和设计流程。技术平台包括全套的基础链接库（标准单元、内存产生器、I/O、AMS IP以及高速接口）；设计流程适合开发高速的高效能组件。

与传统制造技术相比，FD-SOI技术可在大幅提升性能的同时大幅降低功耗，因此ST-Ericsson选则采用意法半导体的FD-SOI技术设计未来的行动平台。

与制造成功同样重要的是，意法半导体发现了从28奈米 传统CMOS制程（Bulk CMOS）向28奈米 FD-SOI移植代码库和物理IP到十分简单，由于没有MOS历史效应，用传统CAD工具和方法设计FD-SOI数字系统单芯片的过程与设计传统块状硅（Bulk）组件完全相同。FD-SOI能够用于制造高能效的组件，必要时，动态基体偏压（dynamic body-bias）能让组件立即进入高性能模式，而在其余时间保持在低漏电流模式，这些对于应用软件、操作系统和高速缓存系统都完全透明。与传统CMOS制程技术相比，FD-SOI可实现更优异的性能及低工作电压，并拥有非常出色的能效。