Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。

Vishay推出1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET

额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计。作为首批可直接从1.2V总线驱动的功率MOSFET，这些新型TrenchFET还提供了额外潜在优势，通过它们，在内核电压低于1.8V的电池供电系统中无需额外的转换。

在额定电压最低为1.5V的MOSFET中，在更低的未指定栅源电压（例如 1.2V）时导通电阻一般会按指数级增加。通过比较，这些新型1.2V TrenchFET在1.2V栅极驱动时提供了确保的低至 0.041Ω的n信道导通电阻以及低至0.095Ω的p信道导通电阻。1.5V栅极驱动的导通电阻性能高于最低栅源电压规格为1.5V的器件中的导通电阻性能：低至0.022（n信道）和0.058（p信道）。

日前推出的这些器件（以及它们的封装类型）为n信道SiA414DJ(PowerPAK SC-70)、Si8424DB (MICRO FOOT) 及 SiB414DK (PowerPAK SC75)，以及 p 信道 SiA417DJ(PowerPAK SC-70)、Si8429DB(MICRO FOOT)及SiB417DK(PowerPAK SC-75)。先前推出的采用SC-70封装的p信道 Si1499DH完善了Vishay的1.2V功率MOSFET产品系列。