松下電器(Matsushita)和瑞蕯科技(Renesas)宣布成功整合測試45奈米的系統晶片(SoC)半導體製造技術。此項製程技術是完全整合1氬氟ArF(argon-fluoride)浸沒式掃瞄器2與光隙數值1.0或更高的技術。兩家公司在2005年10月開始合作45奈米的製程開發計畫，同時兩家公司自1998年即開始合作前一代的生產製程開發計畫。

目前的聯合開發計畫將於2007年6月完成，並預計在2008年初開始量產。全新45奈米製程將由松下和瑞蕯共同使用，生產高階行動產品和消費性網路電子產品的系統晶片。除了高階的氬氟浸沒微影技術外，兩家公司也計畫引進其他新技術，使其成為開發計畫的一部份，包含引流高移動率電晶體3和ELK(K =2.4)多層次線路模組4。

兩家公司在1998年同意合作開發下一世代系統晶片技術，當時甚至瑞蕯科技尚未成立。新計畫是雙方第五階段合作的一部份，該計畫開始於2005年10月。雙方共同開發計畫中最顯著的成就包含在2001年完成130米的DRAM合併製程、2002年的90奈米系統晶片製程、2004年的90奈米DRAM合併製程，和2006年的65奈米系統晶片製程。

未來松下和瑞蕯將持續合作，基於彼此的信任、聯合分配發資源和共享技術資訊，有效開發高階技術，累積技術能量，形成絕佳的合作關係。