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Diodes推出12V新型P通道MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 蕭惠文報導】   2011年12月15日 星期四

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Diodes日前推出12V微型P通道强化型MOSFET—DMP1245UFCL,有助於提升電池效率和減少電路板空間,並滿足空間受限的可攜式產品設計要求,如智慧型手機和平板電腦等。

Diodes12V微型P通道强化型MOSFET以精密封裝,降低傳導損耗。
Diodes12V微型P通道强化型MOSFET以精密封裝,降低傳導損耗。

這款新MOSFET採用超精密和高熱效率的DFN1616封裝,並具有極低的導通電阻(RDS(on)),能把傳導損耗降至最低,以延長電池壽命。例如在VGS為4.5V的條件下,該MOSFET的導通電阻只有29mΩ,有利於電源中斷及一般負載開關的應用。

DFN1616的標準離板高度為0.5毫米,並僅佔2.56平方毫米的PCB面積。同時,DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電(ESD)的增強保護。這款MOSFET的額定閘極保護為3kV,因此對人為產生的靜電放電所造成的影響有抵禦作用。

關鍵字: MOSFET  Diodes 
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