Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET，這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路，同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。

Vishay推出1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET

額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET導通電壓與移動電子設備中使用的數位IC的1.2V～1.3V工作電壓保持一致，從而可實現更安全、更可靠的設計。作為首批可直接從1.2V匯流排驅動的功率MOSFET，這些新型TrenchFET還提供了額外潛在優勢，通過它們，在內核電壓低於1.8V的電池供電系統中無需額外的轉換。

在額定電壓最低為1.5V的MOSFET中，在更低的未指定柵源電壓（例如 1.2V）時導通電阻一般會按指數級增加。通過比較，這些新型1.2V TrenchFET在1.2V柵極驅動時提供了確保的低至 0.041Ω的n通道導通電阻以及低至0.095Ω的p通道導通電阻。1.5V柵極驅動的導通電阻性能高於最低柵源電壓規格為1.5V的器件中的導通電阻性能：低至0.022（n通道）和0.058（p通道）。

日前推出的這些器件（以及它們的封裝類型）為n通道SiA414DJ(PowerPAK SC-70)、Si8424DB (MICRO FOOT) 及 SiB414DK (PowerPAK SC75)，以及 p 通道 SiA417DJ(PowerPAK SC-70)、Si8429DB(MICRO FOOT)及SiB417DK(PowerPAK SC-75)。先前推出的採用SC-70封裝的p通道 Si1499DH完善了Vishay的1.2V功率MOSFET產品系列。