Ansys RaptorH获三星2.5D/3D IC与系统电磁效应认证

Ansys RaptorH电磁（electromagnetic；EM）模拟解决方案已获三星晶圆代工（Samsung Foundry）先进系统单晶片（Systems-on-chip；SoC）以及2.5D/3D积体电路（2.5D/3D-IC）的开发认证。该认证能让Ansys帮助三星设计师和三星晶圆代工客户，在采用三星全新signoff流程时更精确分析和减少EM效应相关风险，大幅加快最先进人工智慧（AI）、高效能运算（high-performance computing；HPC）和5G半导体设计进程。

三星一系列的先进奈米晶片和2.5D/3D-IC技术需要认证EM干扰的signoff方法。EM干扰会对复杂的多晶片封装（multi-chip assemblies）造成负面影响，而这是传统工具无法处理的任务。工程师需要使用高容量的EM分析工具，才能针对处理超高资讯传输速率的超大型SoC和2.5D/3D封装建立正确模型。2.5D/3D-IC讯号互动难以量化，此为影响故障的关键要素，并限制新技术采用率。

RaptorH的高度整合分析解决方案结合Ansys HFSS高传真高频率电磁解决方案以及Ansys RaptorX的超高速度与可靠架构，可帮助三星设计师建立EM现象模型，并确信寄生（parasitic）效应不会对系统造成负面影响，故能提高2.5D/3D晶片封装的时脉频率。这将推动此全新封装技术更快地进入主流生产，并大幅降低风险。
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