CTIMES- AI记忆体供应链重组 SK海力士在美建立HBM封装基地

AI晶片供应链的在地化，正从GPU与伺服器进一步延伸至高频宽记忆体（HBM）。SK hynix於美国印第安纳州West Lafayette正式启动先进封装基地，投资逾40亿美元，规画2029年下半年开始量产下一代HBM，并且明确将HBM4E列为首波产品，成为SK hynix首座美国HBM生产据点。

HBM与传统DRAM最大的技术差异，在於透过TSV等技术将多颗DRAM垂直堆叠，再经先进封装与AI GPU／ASIC整合，以提高记忆体频宽并降低资料搬移功耗。随AI模型规模与推论Token量增加，GPU效能已愈来愈受到记忆体频宽与容量限制，使HBM由记忆体零组件跃升为AI加速器核心架构之一。

SK hynix今年6月已送样12层HBM4E，下一代产品持续提高频宽与能源效率；该公司表示，印第安纳基地未来年产能将达数十万片晶圆对应规模，并与Purdue University合作建立先进封装研发测试平台。
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