深耕40年的晶圆厂量测与检测：重大里程碑和未来发展

imec的量测专家将在本文带领读者探索深耕40年的晶圆厂量测与检测技术，了解图形化和元件创新历史的四大时期，同时提供imec的前瞻量测发展蓝图，其发展动力与多项重大挑战相关，包含尺寸微缩和3D技术的兴起，还有成本和永续发展的需求。

2005年以前，半导体业持续在几??可预测的态势下取得进展。摩尔定律曾引领电晶体的密度扩展，而Dennard缩放定律确保了功率密度维持稳定。在这一切发展的同时，成本仅微幅增加。但自2000年代中期开始，技术发展开始偏离轨道，驱使业界逐步导入新型材料、更先进的微影和图形化技术，以及创新的元件架构。未来，在AI及其相关的多元化需求暴增的驱动下，我们必须实现创新才能延续摩尔定律。除了尺寸微缩（水平微缩），完整系统堆叠的协同优化是下一步，而3D整合（垂直微缩）是实践这点的技术方案之一。

元件复杂度增加，加上尺寸持续微缩和3D整合技术兴起，使得量测与检测的需求持续增长。这些技术对半导体制造的作用不容小黥：这些技术透过控制制程来确保良率、性能和可靠度。过程中，新型量测持续出现，多数创新透过比利时微电子研究中心（imec）与其量测夥伴实现，为早期开发的技术增添生力军。
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