Diodes MOSFET H橋節省50%佔位面積

Diodes公司推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品透過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板佔位面積，簡化馬達驅動和電感無線充電電路。40V額定值H橋DMHC4035LSD旨在滿足車用馬達驅動應用的要求；30V額定值H橋DMHC3025LSD則適合12V單相位風扇應用。

圖一

DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把雙N通道和雙P通道MOSFET整合到佔位面積僅為5mm x 6mm 的單一SO-8封裝，成為完整的H橋。新產品替代尺寸相當於4個SOT23封裝或兩個SO-8封裝的元件，適用於多種受空間限制的汽車和工業應用，包括低功率直流無刷馬達驅動器和風扇控制，並且滿足驅動電感負載的類似要求。

兩款H橋節省空間的成效與MOSFET的低導通電阻效能相輔相成，40V N通道元件在10V VGS的電壓下一般只有45（微歐姆）的電阻；40V P通道元件的電阻在-10V VGS 的電壓下則為65（微歐姆）。元件的低導通電阻可把導通損耗降到最低，從而能夠在馬達堵轉的情況下承受較高的持續電流。這些30V及40V額定值的H橋在攝氏+70度的高溫操作環境下，可分別提供3A和2A的持續電流，以適應最壞情況下的馬達堵轉電流。