ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布針對進階超介電常數絕緣層(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子層沉積(ALD)原料簽訂認證製造廠商與合作協定。 該協定提供化學原料之認證標準、特定ASM ALD 專利之授權許可,以及針對這些化學原料的行銷與進階開發合作關係。
最新開發的 「環戊二烯」(cyclopentadienyl) 材料能夠讓次世代以鍶(Strontium)和鋇( Barium )為基礎的超高介電常數絕緣層具備超過100的介電常數。相較之下,目前量產的以鋯( Zirconium) 和 鉿(Hafnium )為基礎的高介電常數絕緣層,其介電常數則低於30至40。具較高介電常數的絕緣層能夠讓裝置製造廠商為DRAM記憶體晶片生產更小的電容,和替微處理器生產更小的晶體管。
「我們看到在晶片製程當中生產與整合新材料的作法進一步推動了摩爾定律。」ASM的科技長暨研發部門總監 Ivo Raaijmakers博士表示,「像這樣的合作協定將讓我們能夠更有效率地開發新材料,並且在供應鏈上做好準備,以即時在製程當中導入超高介電常數材料。」
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