ROHM推出高耐壓MOSFET「F 系列」!

ROHM（羅姆電子）全新研發出最高性能的高耐壓功率MOSFET「F 系列」，適用於液晶電視的背光模組Inverter、照明用Inverter﹑馬達驅動器及切換式電源等使用橋式電路的各種應用。此新系列產品將自ROHM 新開發的「F 系列」，讓具備超級接合面結構的MOSFET元件內部局部形成Trap Level，與一般的超級接合面結構產品相比，成功將反向回復時間（trr）由160ns減為70ns，降低達60%。在元件內部形成Trap Level後，雖然trr的速度變快了，不過卻讓超級接合面型結構在形成上遭遇困難。即使如此，ROHM仍成功地研發出能在元件內部局部形成Trap Level的超級接合面MOSFET。

圖一 : 高速trr/高速切換式高耐壓MOSFET「F 系列」

如此一來，即使未安裝快速回復二極體（FRD），也能使用於橋式電路，而且還能夠藉由減少零件的使用量、縮小基板面積或藉由高頻化可使用體積較小的變壓器等，對產品的小型化與低成本化有莫大貢獻。

除了本次所推出的「F 系列」外，未來ROHM仍將運用獨創的尖端製程加工技術，以顧客需求為優先考量，致力於研發電晶體產品。
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