IR新MOSFET晶片組提高2％輕負載效率

國際整流器（International Rectifier；IR）推出一對新型30V HEXFET功率MOSFET。相比於採用30V MOSFET的解決方案，它們可提供高出2％的輕負載效率，用於驅動最新Intel和AMD處理器中的45A、二相同步降壓轉換器，適用範圍包括筆記簿型電腦及其他高效能電腦應用。

圖一

這兩款新型無鉛元件分別是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF，它們能夠體現最佳的傳導、交換和本體二極管損耗，發揮最大的效率和功率密度。兩款元件可用作二極同步降壓轉換器電路中的晶片組，這些電路每相需要1個控制和2個同步MOSFET。這些新型SO-8 MOSFET還適用於其他採用PWM控制的DC-DC降壓轉換器應用。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「在低至中功率水平，高效率對筆記簿型電腦十分重要，因為它們是最主流的電池驅動產品。我們的新晶片組可針對這方面的需要，在5至15安培的範圍內把效率提升2％。新元件可減低功率損耗，從而降低系統的操作溫度，這一點對便攜式電腦也相當重要。」
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