安森美半導體推出全新中壓N型通道MOSFET陣容

推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor），針對資訊網路、電信和工業應用推出新的高能效單N型通道功率MOSFET系列，進一步擴大其廣泛的產品陣容。

圖一 : 安森美半導體高能效單N型通道功率MOSFET系列可用於減少開關、傳導及驅動器功率損耗提升能效

這些器件能提供低得令人難以置信的傳導電阻RDS（on）值，從而將傳導損耗降至最低並提升整體工作效能。它們還有低至2164皮法（pF）的門極電容（Ciss），以確保盡可能保持低驅動損耗。

安森美半導體新的NTMFS5C404NLT， NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏（V），最大傳導電阻值(Vgs為10 V時)分別為0.74毫歐、0.9毫歐和2.8毫歐，連續漏電流分別為352安（A）、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL，NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60 V，最高導通電阻分別為1.2毫歐、 1.5毫歐和 4.7毫歐，而相關的連續漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作接面溫度都高達攝氏175度，從而為工程師的設計提供更大的熱餘裕。安森美半導體將推出採用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK和TO220來擴大此產品線。
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