為了追求具成本效益的產能擴張，以及關鍵技術節點升級策略，擴展供應鏈的韌性。聯華電子和英特爾共同宣佈，雙方將合作開發12奈米FinFET製程平台，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長。這項長期合作結合英特爾位於美國的大規模製造產能，和聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗，以擴充製程組合，同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈。

圖一 : 聯華電子和英特爾將合作開發12奈米製程平台，提供客戶更多元的區域供應鏈，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長。

此項12奈米製程將善用英特爾位於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的組合。受惠於聯電為客戶提供PDK及設計支援方面的數十年經驗，得以更有效地提供晶圓代工服務。新的製程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造，透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資，並進行最佳化利用率。

雙方透過生態系合作夥伴提供的電子設計自動化（EDA）和智慧財產權（IP）解決方案，合作支援 12 奈米製程的設計實現，以滿足客戶需求。此12奈米製程預計在2027年投入生產。