隨著台灣晶圓代工大廠持續向外擴充版圖，並將製程推進至2nm以下，正加速驅動晶片製造廠商進入埃米時代，也越來越受惠於新材料工程和量測技術。美商應用材料公司則透過開發出越來越多採用Sculpta圖案成形應用技術，與創新的CVD圖案化薄膜、蝕刻系統和量測解決方案。

圖一 : 為了幫助克服先進晶片的圖案化挑戰，應材提供了一系列能夠補強最新微影技術的產品與解決方案。

如應材於2023年國際光電工程學會（SPIE）舉行的先進微影暨圖案化技術研討會上，便推出一系列滿足「埃米時代」晶片圖案化需求的產品和解決方案，進而克服 EUV和高數值孔徑（High-NA）EUV 圖案化的挑戰，包括：線邊緣粗糙度、頂端對頂端的間隙（tip-to-tip spacing）限制、橋接缺陷和邊緣置放誤差。

其中Centura Sculpta圖案化系統，可讓晶片製造商能透過延伸拉長圖案特徵，來減少EUV雙重圖案化步驟，使得特徵端點彼此之間，能比使用單一EUV或高數值孔徑EUV曝光更為接近，而能有效補強和改善使用微影技術製造晶片。目前應材正與所有市場上頂尖的邏輯晶片製造商合作，開發越來越多的Sculpta應用，得以減少頂端對頂端的間隙限制、消除橋接缺陷，進而降低圖案化成本、複雜度，並提高晶片良率。
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