物联网(IoT)商机无限。针对物联网低功耗晶片需求,国外晶圆代工大厂GlobalFoundries(格罗方德)推出了22FDX平台,其性能表现与FinFET(鳍式场效电晶体)类似,成本与28nm(奈米)接近,且拥有超低耗电,以及超低漏电等优点。
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Globalfoundries技术长Gary Patton表示,FinFET虽是一个不错的选择,但由于设计复杂,加上成本较高,且须多重曝光,对于务联网相关装置厂商而言负担过重。 |
Globalfoundries技术长Gary Patton表示,FinFET虽是一个不错的选择,但由于设计复杂,加上成本较高,且须多重曝光,对于务联网相关装置厂商而言负担过重;这一类的厂商的要求在成本、功耗、性能表现上只须达到平衡即可。所以对于他们而言,22FDX会是一个较好的选择。
Patton说明,22FDX为一项FD-SOI的技术,只需要28nm FinFET制程的成本,即可得到相同的效能。成本低廉且功耗需求小于0.4V,漏电值约只有1pA;其是由软体控制的基体偏压(Body-bias),可在单一晶片上整合射频(RF)功能,节能省电,对于物联网装置而言是相当合适的选择。
据了解,22FDX是将Oxide Layer(薄型氧化物质层)与Silicon Layer(矽层)堆叠在一起,如此一来,即可改善Short Channel(短通道效应)。
Patton进一步表示,在2016年9月时,该公司也宣布将eMRAM技术加入22FDX平台当中,用以提升晶片写入速度,以及提高续航能力。未来预计也会将eMRAM推展至FinFET制程当中。
Patton认为,eMRAM技术可以提升视觉处理还有3D绘图能力。为了推行此一技术,该公司日前也建立起相关的生态圈-FDXcelerator。此一生态圈中有分别来自EDA、IP、ASIC等领域的合作伙伴,且近期预计还会增加六至七个盟友。
另一方面,GlobalFoundries在14奈米FinFET制程进入量产之后,随即宣布下一阶段将直接投入7奈米制程的相关研发,直接跳过了10nm制程。对此,Patton说明,10奈米制程可提供给客户的价值并不高。 10奈米制程只能算是半个节点,而14奈米直接转入7奈米可以提供客户整个节点的扩充。
据悉,相对于14奈米,7nm制程逻辑密度可以达到17M gates/mm2以上,且性能表现可大于3.5GHz A72,也就是说比14nm更多了30%。