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再进一程:三星40奈米DDR3样本已送达
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2010年03月30日 星期二

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根据研究机构Gartner报告预测,2010年全球服务器出货量成长率将有5至9%的成长,面对此波市场机会,三星电子今日(3/30)宣布旗下专门提供服务器系统使用的32Gb内存模块已开始送交样品。采用的是40奈米制程。

三星将在今年下半年迈入30奈米级制程。 BigPic:401x251
三星将在今年下半年迈入30奈米级制程。 BigPic:401x251

三星电子内存部门董事长暨总经理Soo-In Cho表示,高阶服务器在应用上需要更先进的内存作为标竿,今日送出的40奈米制程样品,完成了以往不能实现的梦幻级表现---在低功耗的状态下,依然可以达到高密度与高效能。

三星电子本次送出样本的32Gb内存模块,可以在不增加功耗的情况下,超越40奈米级16GbRDIMM效能。连接至服务器,一个系统的内存可以扩充至384GB,较前代规模紧实了两倍。此外,如果使用6个32GB模块来代替12个16GB模块,以达成192GB的总密度,运作速度可提升33%,由800 Mbps增加到1,066 Mpbs,而所需功率则减少40%。对于大量处理数据的Data Center、服务器系统与高阶笔电来说,具有相当的节能意义。

回顾三星踏足40奈米的进程,是在2009年7月首度推出40奈米制程的DDR3;再经过不到一年的发展,紧锣密鼓推出超低功耗节能内存(Green Memory)。并随着4 Gb DDR3出货,三星也将逐步将旗下DDR DRAM九成以上的生产线改为40奈米级制程技术。

三星电子同时也表示,在讲求高效能的four-way服务器使用16Gb模块,1TB的内存可说是稀松平常。现在三星已可提供2TB的内存模块,32GB RDIMM预定在下个月开始量产。三星并认为,这样的刺激将可带动服务器应用规模向上提升。

關鍵字: 40奈米  DDR3  三星  Soo-In Cho  存储元件 
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