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再進一程:三星40奈米DDR3樣本已送達
 

【CTIMES/SmartAuto 朱致宜 報導】   2010年03月30日 星期二

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根據研究機構Gartner報告預測,2010年全球伺服器出貨量成長率將有5至9%的成長,面對此波市場機會,三星電子今日(3/30)宣佈旗下專門提供伺服器系統使用的32Gb記憶體模組已開始送交樣品。採用的是40奈米製程。

三星將在今年下半年邁入30奈米級製程。 BigPic:401x251
三星將在今年下半年邁入30奈米級製程。 BigPic:401x251

三星電子記憶體部門董事長暨總經理Soo-In Cho表示,高階伺服器在應用上需要更先進的記憶體作為標竿,今日送出的40奈米製程樣品,完成了以往不能實現的夢幻級表現---在低功耗的狀態下,依然可以達到高密度與高效能。

三星電子本次送出樣本的32Gb記憶體模組,可以在不增加功耗的情況下,超越40奈米級16GbRDIMM效能。連接至伺服器,一個系統的記憶體可以擴充至384GB,較前代規模緊實了兩倍。此外,如果使用6個32GB模組來代替12個16GB模組,以達成192GB的總密度,運作速度可提昇33%,由800 Mbps增加到1,066 Mpbs,而所需功率則減少40%。對於大量處理資料的Data Center、伺服器系統與高階筆電來說,具有相當的節能意義。

回顧三星踏足40奈米的進程,是在2009年7月首度推出40奈米製程的DDR3;再經過不到一年的發展,緊鑼密鼓推出超低功耗節能記憶體(Green Memory)。並隨著4 Gb DDR3出貨,三星也將逐步將旗下DDR DRAM九成以上的生產線改為40奈米級製程技術。

三星電子同時也表示,在講求高效能的four-way伺服器使用16Gb模組,1TB的記憶體可說是稀鬆平常。現在三星已可提供2TB的記憶體模組,32GB RDIMM預定在下個月開始量產。三星並認為,這樣的刺激將可帶動伺服器應用規模向上提升。

關鍵字: 40奈米  DDR3  三星(SamsungSoo-In Cho  記憶元件 
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