Vishay Intertechnology推出兩款採用緊湊、高隔離延伸型SO-6封裝的新型IGBT和MOSFET驅動器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分別提供3 A和4 A的高峰值輸出電流，提供高達 +125 °C的高工作溫度和最大200 ns的低傳播延遲。

Vishay IGBT和MOSFET驅動器採用拉伸SO-6封裝，可實現緊湊設計、快速開關和高電壓，結合高達 4A的高峰值輸出電流與高工作電流。

新款光耦合器由與具有功率輸出級的內建電路光耦合的AlGaAs LED所組成，適用於太陽能逆變器和微型逆變器；交流及無刷直流工業馬達控制逆變器；以及用於UPS中AC/DC轉換的逆變器級。此元件適合直接驅動額定電壓高達1200 V/100 A的IGBT。

VOFD341A和VOFD343A的高工作溫度為更緊湊的設計提供更高的溫度安全裕度，同時其高峰值輸出電流無需額外的驅動器級，可實現更快的開關，並促進更精確的PWM調節。光耦合器的高隔離封裝可達到高達1.140 V的高工作電壓，符合RoHS標準的裝置具有50 kV/μs的高抗噪能力，可防止快速開關功率等級中的故障功能。VOFD341A和VOFD343A現已提供樣品和量產。