網站Semiconductor Reporter引述市場分析師說法指出，英特爾（Intel）稍早前宣佈將部份NOR型快閃記憶體（Flash）生產從美國加州移往奧勒岡州Hillsboro 12吋晶圓廠的做法，代表英特爾抵抗三星（Samsung）重登記憶體晶片龍頭的強烈企圖心，而目前英特爾全新Flash生產策略也略見雛形。

英特爾先前曾表示，該公司下一代Flash研發生產將移往具備先進製程的奧勒岡州12吋晶圓廠，並計畫由該廠負責研發45奈米製程以下Flash，雖英特爾尚未公佈計畫時程表，但分析師認為，英特爾將向來用在微處理器生產的Flash研發生產移往奧勒岡州12吋廠，主因是為了抵抗市場勁敵三星。

分析師指出，英特爾過去一直將先進製程科技優先用在微處理器產品，如今似乎顯示英特爾也可能將新一代的Flash生產導入最新90奈米製程，也就是說，既然奧勒岡州可以生產出90奈米製程最新的微處理器Prescott，亦可將該廠之先進製程優勢引進Flash的生產中。

三星具備可同時生產DRAM與Flash的生產線，因此可使產能視市場狀況重新調整；而若斥資鉅額興建卻僅用做單一產品生產，一來無法發揮彈性配置的優勢，二來在市場需求衰弱時也必須面對過低產能利用率所帶來的經營風險。